[14p-A37-1~17] 6.4 Thin films and New materials

△ [14p-A37-14] Graphoepitaxial growth of In₂O₃ by quasi-VLS method

〇Tokohei Go¹, Kohei Yoshimatsu¹, Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech., 2.MCES)

Keywords:indium oxide, graphoepitaxy

デバイス低コスト化を目指し，単結晶薄膜を非晶質基板上で得る技術であるグラフォエピタキシーに着目した．しかしながら，グラフォエピタキシーの過去の報告例はシリコン，ゲルマニウムといった単体が主であり，酸化物といった化合物の報告例は僅かである．今回，我々は逆ピラミッドテクスチャSiO₂/Si基板上において，擬VLS法により酸化インジウムのグラフォエピタキシーを実現した．