[14p-A37-1~17] 6.4 Thin films and New materials

△ [14p-A37-15] Heteroepitaxial growth of 3C-SiC crystals using a Si-Ge alloy flux by vapor-liquid-solid pulsed laser deposition

〇Naoki Sannodo¹, Asuka Osumi¹, Ryo Yamaguchi¹, Shingo Maruyama¹, Yuji Matsumoto¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:semiconductor, SiC, thin film

SiCは優れた半導体物性を有し，次世代のパワーデバイス材料として注目されている．SiC結晶多形の１つである3C-SiCは，単結晶の育成が困難とされている．一方当研究室では，パルスレーザー堆積法ベースののVapor-Liquid-Solid法であるパルスレーザー液相エピタキシー法により，4H-SiC基板上に高品質な単結晶3C-SiC薄膜の作製に成功している．そこで今回，パルスレーザー液相エピタキシー法により，Al₂O₃基板上で3C-SiCヘテロエピタキシャル成長を試みたので報告する．