[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[14p-P10-6] Cu(NO₃)₂3H₂OをCu原料に用いたCBD法によるCuO薄膜とCu₂O薄膜の選択成長と表面モフォロジー

〇寺迫 智昭¹、大西 航輝²、岡田 英之²、小原 翔平²、河野 幸輝² (1.愛媛大院理工、2.愛媛大工)

キーワード：酸化第一銅、酸化第二銅、溶液成長法