[15a-B9-1~6] 13.3 絶縁膜技術

[15a-B9-3] 原子層堆積Al₂O₃膜の電気特性に対する熱処理効果

〇平岩 篤^1,3、松村 大輔²、大久保 智²、川原田 洋^1,2 (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.名大未来研)

キーワード：Al2O3、電流、熱処理

酸化剤にH₂Oを用い100℃のALDにより形成し熱処理したAl₂O₃膜の電気伝導特性を検討した。負バイアスに対するリーク電流は、300ºC以上の熱処理により同一温度にて形成した膜以下の水準にまで減少する。正バイアスに対しては、熱処理温度がいずれの場合にも、同一温度にて形成した膜より少ない。しかし、熱処理により誘電率が若干減少するので上記リーク電流の減少がMISFET特性の改善につながることはなく、正バイアスリーク電流の低減が課題として残る。