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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[15a-B9-1~6] 13.3 絶縁膜技術

2016年9月15日(木) 10:15 〜 11:45 B9 (展示ホール内)

井上真雄(ルネサス)

11:15 〜 11:30

[15a-B9-5] High-k/SiO₂界面におけるダイポール形成メカニズムの考察
-多重極子ポテンシャル差による酸素イオン移動の可能性-

〇(M2)功刀遼太¹、中川宣拓¹、渡邉孝信¹ (1.早大理工)

キーワード：High-k膜、ダイポール、分子動力学