[15a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-C302-10] 高速SiCレーザスライシングの加工品質評価

〇西野 曜子¹、平田 和也¹、高橋 邦充¹ (1.(株)ディスコ)

キーワード：SiC、パワーデバイス、レーザ

レーザスライシング技術によるウェーハ加工について報告する。加工時間は4”インゴットの場合ウェーハ1枚当たり8分を達成、ウェーハ取枚数は材料ロスが少ないため現状のワイヤー加工の1.5倍を実現している。本技術によって切り出された4”ウェーハのTTVは3.2mm、Warpは3.8umであった。この結果、従来必要不可欠であったラップ研削工程を省略でき、ウェーハメイキング工程のリードタイムを大幅に短縮することが可能となる。