[15a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-C302-12] ClF₃ガスによるSiCウエハのエッチング速度挙動

中込 健¹、〇倉島 圭祐¹、奥山 将吾¹、羽深 等¹、高橋 至直²、加藤 智久³ (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

キーワード：SiCドライエッチング、三フッ化塩素、エッチング装置設計

半導体炭化珪素(SiC)の製造工程においてSiCウエハを化学反応により高速にエッチングする技術を開発するため、我々は三フッ化塩素(ClF₃)ガスを用いて直径50mmのSiCウエハをエッチングする装置を作製し、ClF₃ガスノズル（仕切り板）の穴を選択することによりエッチング速度分布を調整する方法を試みた。本研究では、その効果を詳細に検討した結果を報告する。