[15a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-C302-5] 4H-SiC m面の構造安定性

塩路 淳¹、ビシコフスキー アントン¹、梶原 隆司¹、〇田中 悟¹ (1.九大院工)

キーワード：SiC MOSFET、m面表面

トレンチ型MOSFETのチャネルである4H-SiCのm面の表面構造の安定性についての議論を行う．ｍ面(1-100)表面の水素エッチングにより，(0001)面に平行な筋状構造を観察した．この構造は，エネルギー的に安定な(1-101)および(1-10-1)ファセットに誘起される構造である可能性が高い．構造形成機構およびDFT計算による安定性の議論を行う．