[15a-C302-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15a-C302-6] Carrier Lifetime Control of 4H-SiC Epitaxial Layer by Boron- or Vanadium Doping

〇Tetsuya Miyazawa¹, Takeshi Tawara^2,3, Hidekazu Tsuchida¹ (1.CRIEPI, 2.AIST, 3.Fuji Electric)

Keywords:silicon carbide, carrier lifetime, epitaxial growth

4H-SiCエピ膜のキャリア寿命の制御を目的として、ボロンおよびバナジウムをドーピングしたエピ成長を行った。エピ成長時におけるドーピング原料の導入量を変化させることにより、4H-SiC中のボロンおよびバナジウムの密度を変化させられることを確認した。また、ボロンおよびバナジウム密度が増加するにつれ、キャリア寿命が減少することを明らかにした。