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[15a-P6-6] 丸型レイアウトを用いたCMOS APDの暗電流特性の改善
キーワード：アバランシェフォトダイオード、シーモスイメージセンサ―
CMOS APDは高感度・高速な光センサとして研究がされている．これらの特性は高耐電圧であるほど高感度・高速応答特性を持つ．これまでに四角型のレイアウトを用いてCMOS APDを製作してきたが，レイアウトの角での電界集中による暗電流の増加が耐高電圧特性を低下させていた．そこで我々は高耐電圧特性を有するデバイスを製作するために角の無い丸型のレイアウトを採用しその暗電流特性を評価した．