[15a-P8-1~12] 3.15 シリコンフォトニクス

[15a-P8-11] 方向性結合型Si偏波分離素子の設計

〇酒井 滋彬¹、岩本 直隆¹、津田 裕之¹ (1.慶應大工)

キーワード：偏波分離素子

我々は、2種類の偏波分離素子を設計した。2本方結型は、波長1.55μm付近で0.1dB未満の過剰損失と50dB以上の偏光消光比を示した。3本方結型は、1.45μmから1.65μmの波長の範囲で0.4dB未満の過剰損失と40dB以上の偏光消光比を示した。偏光消光比を、高さの異なる2種類の導波路を使用することによって改善することができた。