[15p-A23-1~20] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-A23-4] パワーデバイス内部の空乏層の評価（2）数値計算との比較
パワーデバイス用結晶の評価（ⅩⅩ）

〇山本 秀和¹、小森 郷平¹、小田 昭紀¹、潤間 威史¹、佐藤 宣夫¹ (1.千葉工大工)

キーワード：パワーデバイス、半導体、シミュレーション

我々は、多機能走査型プローブ顕微鏡により、逆バイアス有無における60 V耐圧のSiショットキーダイオード内部の空乏層を評価した。その結果、ケルビンプローブ顕微鏡（KFM：Kelvin-prove force microscope）による表面電位評価で、ショットキー接触部で表面電位が不均一になる現象が確認された。ここでは、KFMによる評価結果を、数値計算によりある程度再現できることが判明したので報告する。