[15p-A23-1~20] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-A23-3] パワーデバイス内部の空乏層の評価（1）多機能走査型プローブ顕微鏡による評価
パワーデバイス用結晶の評価（ⅩⅨ）

〇山本 秀和¹、潤間 威史¹、佐藤 宣夫¹、小森 郷平¹、小田 昭紀¹ (1.千葉工大工)

キーワード：パワーデバイス、半導体、評価

我々は、原子間力顕微鏡、ケルビンプローブ顕微鏡および走査型容量顕微鏡による同一箇所同時測定を実現可能な多機能走査型プローブ顕微鏡を開発した。今回、本装置を用いて、逆バイアス有無における60 V耐圧Siショットキーダイオード内部の空乏層を評価したので、結果を報告する。