[15p-B5-1~19] 7.2 電子ビーム応用

[15p-B5-17] ガンマ線照射前後でのCdTe/CdSダイオードの光電変換特性比較

〇増澤 智昭¹、根尾 陽一郎¹、後藤 康仁²、岡本 保³、長尾 昌善⁴、佐藤 信浩²、秋吉 優史⁵、高木 郁二²、三村 秀典¹ (1.静岡大、2.京都大、3.木更津高専、4.産総研、5.大阪府立大)

キーワード：放射線耐性、撮像素子、フィールドエミッタアレイ

福島第一原子力発電所の廃炉作業に向けて、原子炉の詳細な状況を把握するために高い放射線耐性を有する撮像素子の開発が求められている。これまでにCdTeを基材とした光電変換膜とフィールドエミッタアレイ(FEA)を組み合わせた撮像素子が提案され、撮像素子としての動作確認および部品ごとの放射線耐性評価が実施されている。本研究では、光電変換膜の放射線耐性を調べるため、CdTe/CdSダイオードを形成し、これにガンマ線を照射することで、照射前後での電流電圧特性および撮像特性の変化を調べた。