[15p-B5-1~19] 7.2 電子ビーム応用

[15p-B5-16] 耐放射線性FEA撮像素子用CdTe/CdS光電変換膜のガンマ線照射下における電流電圧特性

〇岡本 保¹、猪狩 朋也¹、後藤 康仁²、佐藤 信浩²、秋吉 優史³、高木 郁二² (1.木更津高専、2.京都大、3.大阪府立大)

キーワード：CdTe、II-VI化合物、FEA撮像素子

我々は耐放射線性小型撮像素子としてCdTe光電変換膜を用いたFEA撮像素子を提案している。今回、ガンマ線照射下におけるCdTe/CdS光電変換膜のI-V特性の評価を行ったので報告する。ガンマ線吸収により生成したキャリヤによる電流が観測され、-5 V印加時のガンマ線線量率の増加に対する電流密度の増加率はゼロバイアス時に比べて大きくなった。これは、-5 V印加時の電流の増加率は1 kGy/h当たり約220 nA/cm²と見積もられた。