[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-C302-15] 再結合促進層を用いた4H-SiC PiNダイオード順方向劣化の抑制

〇俵 武志^1,2、宮澤 哲哉³、呂 民雅^1,2、宮里 真樹^1,2、藤本 卓巳²、竹中 研介^1,2、松永 慎一郎^1,2、宮島 將昭^1,2、大月 章弘²、米澤 喜幸¹、加藤 智久¹、奥村 元¹、木本 恒暢⁴、土田 秀一³ (1.産業技術総合研究所、2.富士電機株式会社、3.電力中央研究所、4.京都大学)

キーワード：炭化ケイ素、バイポーラ劣化、少数キャリア寿命

4H-SiCのPiNダイオードにおいて、少数キャリア寿命の短い厚膜バッファ層をエピ／基板界面に導入してバイポーラ劣化現象の抑制効果を検証した。