[15p-P13-1~17] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[15p-P13-9] ITO sputtering damage to Cat-CVD amorphous Si passivation films including doped films

〇Takeo Konishi¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:sputtering, catalytic chemical vapor deposition, solar cell

a-Siパッシベーション膜上に スパッタ法でITO膜を堆積すると，プラズマの影響により a-Si/c-Si界面特性が悪化し、τ_effが大幅に低下する．Cat-CVD法にて堆積したn-およびp-a-Si/i-a-Si積層膜上にスパッタ基板温度の異なるITO膜を堆積し、ポストアニールによるτ_effの回復を調査した結果、p-a-Si/i-a-Si積層構造では基板温度に依存し、また回復が遅いことを確認した。