[15p-P3-1~32] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-15] 抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討
～ 電気的接触法による導電性パス生成の差異 ～

〇(B)肥田 聡太¹、山崎 隆浩²、森山 拓洋¹、大野 隆央²、吉武 道子²、岸田 悟^1,3、木下 健太郎^1,3 (1.鳥取大工、2.物材機構、3.TiFREC)

キーワード：抵抗変化メモリ、粒界、NiO