13:30 〜 13:45 [20p-H101-2] 超高耐圧パワーデバイス用4H-SiC C面エピタキシャル成長の検討 〇西尾 譲司1,2、櫛部 光弘1,2、浅水 啓州2,3、北井 秀憲2、児島 一聡2 (1.東芝 研開センター、2.産総研、3.ローム)