渡辺信也

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発表者・著者、共著者

2016年3月19日(土) 09:45 〜 11:45 H112 (本館)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.1 バルク結晶成長

[19a-H112-1~8] 15.1 バルク結晶成長

10:00 〜 10:15

[19a-H112-2] EFG法によるβ-Ga₂O₃単結晶のドーパント偏析

〇渡辺信也¹、輿公祥¹、山岡優¹、増井建和¹、倉又朗人¹、山腰茂伸¹ (1.タムラ製作所)

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 S222 (南2号館)

一般セッション(口頭講演)
| 合同セッションＫ
| 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

09:00 〜 09:15

[21a-S222-1] β-Ga₂O₃基板の加工変質層の評価

〇渡辺信也¹、輿公祥¹、山岡優¹、増井建和¹、倉又朗人¹、山腰茂伸¹ (1.タムラ製作所)