10:45 〜 11:00 [21a-H121-8] アモルファス基板上に作製したInGaN薄膜トランジスタの特性 〇小林 篤1、伊藤 剛輝1、ライ ケーシン1、上野 耕平1、太田 実雄1,2、藤岡 洋1,3 (1.東大生研、2.JSTさきがけ、3.JST-ACCEL)