安井寛治

→ Google ScholarでKanji Yasuiを検索

発表者・著者、共著者

2016年3月21日(月) 13:15 〜 19:00 H103 (本館)

一般セッション(口頭講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.4 薄膜新材料

[21p-H103-1~21] 6.4 薄膜新材料

14:15 〜 14:30

▲ [21p-H103-5] Influence of NO doping on the properties of ZnO thin films on a-plane sapphire
grown by catalytic-reaction-assisted chemical vapor deposition

〇安井寛治¹、渡邊航大¹、田島諒一¹、石塚侑己¹、大橋優樹¹、玉山泰宏¹ (1.長岡技科大)

2016年3月19日(土) 16:00 〜 18:00 P12 (屋内運動場)

一般セッション(ポスター講演)
| 合同セッションＫ
| 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

16:00 〜 18:00

[19p-P12-1] 触媒反応生成高エネルギーH₂Oビームの運動エネルギー評価

〇安井寛治¹、寺口祐介¹、田島諒一¹、玉山泰宏¹ (1.長岡技科大)