18:00 〜 18:15 △ [20p-H101-18] 界面準位密度を考慮したSiC-MOSFET伝達特性モデルの構築 〇国崎 愛子1、長谷川 淳一1、岩崎 孝之1、野口 宗隆2、古橋 壮之2、渡邊 寛2、中田 修平2、小寺 哲夫1、波多野 睦子1 (1.東工大、2.三菱電機先端総研)