15:00 〜 15:15 [21p-W541-6] Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦方向リーク電流のAlGaN緩衝層Al組成依存性 〇山岡 優哉1,2、伊藤 和宏2、生方 映徳1、矢野 良樹1、田渕 俊也1、松本 功1、江川 孝志2 (1.大陽日酸、2.名工大)