17:30 〜 17:45 △ [20p-H101-16] 4H-SiC MOSFET移動度に対する熱酸化による基板特性劣化とダメージ層除去効果の競合 〇平井 悠久1、作田 良太1、喜多 浩之1 (1.東大院工)