15:30 〜 15:45 [20p-H112-9] 固相成長により単結晶Si基板上に結晶SiGe薄膜のエピタキシャル成長に関する検討 〇(M1)ハムド アラー1、黒岩 杏太1、金子 哲也1、磯村 雅夫1 (1.東海大院工)