10:45 〜 11:00 [20a-H101-7] 複屈折観察による単結晶4H-SiC基板の結晶転位の評価 〇竹中 研介2、加藤 智久1、松永 達也1、武井 学2、米澤 喜幸1、奥村 元1 (1.産総研、2.富士電機)