14:30 〜 14:45 △ [21p-S011-4] h-BN/2層グラフェン/h-BNゲートスタック構造でのIon/Ioff向上 〇ウワンノー ティーラユット1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、長汐 晃輔1,3 (1.東大、2.NIMS、3.JST-さきがけ)