09:30 〜 11:30 △ [21a-P2-18] TCADを用いたSiへのイオン注入の角度依存性 〇(B)足立 拓磨1、広田 悠輝1、中口 陽介1、髙濱 滉太1、向井 浩二1、田中 武1 (1.広工大)