一般セッション(口頭講演) 一括PDF作成 [21a-H112-1~2] 15.7 エピタキシーの基礎 2016年3月21日(月) 09:00 〜 09:30 H112 (本館) 塚本 史郎(阿南高専) △:奨励賞エントリー▲:英語発表▼:奨励賞エントリーかつ英語発表空欄:どちらもなし +全てマイスケジュールに登録 09:00 〜 09:15 [21a-H112-1] SiCにおける欠陥誘起ポリタイプの簡単な理解 〇伊藤 智徳1、 秋山 亨1、 中村 浩次1 (1.三重大院工) PDF ダウンロード スケジュール いいね! コメント ( ) 09:15 〜 09:30 [21a-H112-2] InAs/GaAs(001)系界面転位形成に関する理論的検討 〇海田 諒1、 秋山 亨1、 中村 浩次1、 伊藤 智徳1 (1.三重大院工) PDF ダウンロード スケジュール いいね! コメント ( )
09:00 〜 09:15 [21a-H112-1] SiCにおける欠陥誘起ポリタイプの簡単な理解 〇伊藤 智徳1、 秋山 亨1、 中村 浩次1 (1.三重大院工) PDF ダウンロード スケジュール いいね! コメント ( )
09:15 〜 09:30 [21a-H112-2] InAs/GaAs(001)系界面転位形成に関する理論的検討 〇海田 諒1、 秋山 亨1、 中村 浩次1、 伊藤 智徳1 (1.三重大院工) PDF ダウンロード スケジュール いいね! コメント ( )