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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-H121-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月19日(土) 08:45 〜 11:45 H121 (本館)

岡田成仁(山口大)、村上尚(農工大)

09:15 〜 09:30

[19a-H121-3] ハイドライド気相成長法におけるサファイア加工基板を用いた自立GaN基板の自発分離技術

〇石橋直人¹、板垣憲広¹、岡田成仁¹、只友一行¹ (1.山口大工)

キーワード：窒化ガリウム、自発分離

　　　