09:30 〜 11:30
[19a-P1-10] ホローカソードを陰極に用いた大面積イオン源の開発
キーワード:シリコン、ドーピング、プラズマ
低温ポリシリコンTFTの大面積イオン注入装置用に、長寿妙なイオン源を目指して、ホローカソード型イオン源を開発している。試作した第4世代サイズのホローカソードイオン源では、PHx+のビームで最大22.5mAが得ており、B+ビームの引出についても報告する予定である。
一般セッション(ポスター講演)
7 ビーム応用 » 7 ビーム応用(ポスター)
2016年3月19日(土) 09:30 〜 11:30 P1 (屋内運動場)
09:30 〜 11:30
キーワード:シリコン、ドーピング、プラズマ