[19p-H103-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

△ [19p-H103-14] C-H多結晶ダイヤモンドMOSFETへの高電圧印加による電流特性変化

〇(M1)牛 俊雄¹、許 德琛¹、山田 哲也¹、北林 祐哉¹、斎藤 俊輝¹、柴田 将暢¹、松村 大輔¹、工藤 拓也¹、稲葉 優文¹、平岩 篤¹、川原田 洋¹ (1.早大理工)

キーワード：ダイヤモンド、半導体

我々はこれまでにダイヤモンド表面を水素終端化することで誘起される2DHGをチャネルおよびドリフト層として用いた電界効果トランジスタを作製し、673～10 Kにわたる高温・低温動作特性及び高い耐圧特性を報告してきた。今回透明なアンドープ多結晶ダイヤモンド基板上にMOSFETを作製し、オフ状態での絶縁破壊電圧測定とオン状態のI_DS-V_DS特性の繰り返し測定を10回以上行い、オフ状態の耐圧とオン状態のドレイン電流変化を調査したので報告する。