17:00 〜 17:15 △ [19p-H103-14] C-H多結晶ダイヤモンドMOSFETへの高電圧印加による電流特性変化 〇(M1)牛 俊雄1、許 德琛1、山田 哲也1、北林 祐哉1、斎藤 俊輝1、柴田 将暢1、松村 大輔1、工藤 拓也1、稲葉 優文1、平岩 篤1、川原田 洋1 (1.早大理工)