[19p-H103-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

△ [19p-H103-8] 表面終端による浅いNVセンターの電荷状態

〇(B)加藤 かなみ¹、山野 颯¹、蔭浦 泰資¹、瀬下 裕志¹、稲葉 優文¹、東又 格¹、小池 悟大¹、谷井 孝至¹、磯谷 順一²、寺地 徳之³、小野田 忍⁴、春山 盛善⁵、加田 渉⁵、花泉 修⁵、川原田 洋¹ (1.早稲田大学、2.筑波大学、3.物質・材料研究機構、4.日本原子力研究開発機構、5.群馬大学)

キーワード：NVセンター、ダイヤモンド

ダイヤモンド中のNVセンターは室温で安定であり、外部スピンの測定などに用いられている。表面付近（〜5nm）の浅いNVセンターは、感度が良いが電荷状態が不安定になってしまうという欠点があり、電荷状態の制御が必要である。今回は、ダイヤモンドの表面終端を変化させ、それにより浅いNVセンターの電荷状態の変化、安定性の変化を検討した