[19p-P3-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[19p-P3-4] GaNパワートランジスタのためのゲート酸化膜堆積技術の開発

高木 翔太¹、荒井 哲司¹、有元 圭介¹、山中 淳二¹、〇中川 清和¹、高松 利行²、上野 勝典³ (1.山梨大、2.SST、3.富士電機)

キーワード：GaN、ゲート絶縁膜、SiO2