[19p-S011-1~11] 発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来

[19p-S011-6] PLイメージングによる4H-SiC結晶欠陥の評価

〇土田 秀一¹、鎌田 功穂¹、田沼 良平¹、長野 正裕¹ (1.電中研)

キーワード：シリコンカーバイド、フォトルミネッセンス、拡張欠陥

シリコンカーバイド (SiC) パワーデバイスは，各種の電力変換における損失低減を通じて，大きな省エネ効果をもたらすものとして注目されている。SiCウェーハ中に存在する拡張欠陥は，素子の電気的性能に様々な影響を及ぼすため，SiCパワーデバイスの開発において，SiCウェーハ中の転位や積層欠陥の検出・分別手法や制御手法を得ることが重要である。ここでは，PLイメージングによる4H-SiC結晶欠陥の評価技術に関する研究成果を紹介する。