[19p-S011-1~11] 発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来

[19p-S011-7] 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察

〇梅田 享英¹、阿部 裕太¹、Y.-W. Zhu¹、岡本 光央²、小杉 亮治²、原田 信介²、春山 盛善³、小野田 忍³、大島 武³ (1.筑波大数物、2.産総研、3.原子力機構)

キーワード：炭化ケイ素、単一光子源、トランジスタ

単一発光欠陥が識別できる共焦点レーザー走査型蛍光顕微鏡（CFM）を使って4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）中の欠陥観察を行った結果について報告する。トランジスタ中に単一光子源となる発光欠陥が発生していることを初めて確認し、その発生がトランジスタの部位やプロセスによって異なることが分かった。