[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-11] 金属/Ge界面へのGe_1−xSn_x層挿入によるフェルミレベルピニング位置のシフト

〇鈴木 陽洋¹、中塚 理¹、坂下 満男¹、財満 鎭明^1,2 (1.名古屋大院工、2.名古屋大未来研)

キーワード：ショットキー障壁高さ、フェルミレベルピニング、ゲルマニウムスズ