[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-6] 中性無電解銅めっき液の添加剤効果

〇(M1)宇津野 仁史¹、杉浦 修² (1.千葉工大院、2.千葉工大工)

キーワード：無電解めっき、銅めっき、中性無電解銅めっき

水晶振動子の電極上に堆積しためっき膜の膜厚とシート抵抗の同時測定から，めっき膜の抵抗率の時間推移を計測した。めっき膜の凹凸が顕著な場合，実効的な抵抗率は大きくなり，その時間推移に着目すれば，めっき膜が島状成長から２次元成長に移行するようすが分かる。中性無電解銅めっき法に応用したところ，ポリエチレングリコール添加により，薄膜の段階から島状成長から２次元成長に移行していることが分かった。