The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.4 Plasma etching

[19p-W621-1~12] 8.4 Plasma etching

Sat. Mar 19, 2016 2:30 PM - 5:45 PM W621 (W6)

Hisataka Hayashi(TOSHIBA), Koji Eriguchi(Kyoto Univ.)

3:30 PM - 3:45 PM

[19p-W621-5] Degradation of Perpendicular Magnetic Anisotropy in CoFeB Film after He/H2 Plasma Irradiation

Makoto Satake1,2, Masaki Yamada1 (1.Hitachi High-Tech., 2.Osaka Univ.)

Keywords:hydrogen plasma damage,MRAM,etching

垂直磁化MTJ加工における水素プラズマによるダメージを調査するため,He/H2プラズマ照射によるCoFeB膜の垂直磁気異方性の変化を評価した。CoFeB膜厚が1.4 nmの試料ではプラズマ照射によって磁気異方性が垂直方向から水平方向に反転し,同様の垂直磁気異方性の低下は膜厚が1.2nmの試料でも確認された。よって,垂直磁化MTJの加工では水素プラズマによる磁気特性劣化の抑制が必要である事がわかった。