[19p-W621-1~12] 8.4 プラズマエッチング

[19p-W621-5] He/H₂プラズマ照射による垂直磁化CoFeB膜への磁気ダメージ評価

〇佐竹 真^1,2、山田 将貴¹ (1.日立ハイテク、2.阪大院工)

キーワード：水素ダメージ、磁気抵抗メモリ、エッチング

垂直磁化MTJ加工における水素プラズマによるダメージを調査するため，He/H₂プラズマ照射によるCoFeB膜の垂直磁気異方性の変化を評価した。CoFeB膜厚が1.4 nmの試料ではプラズマ照射によって磁気異方性が垂直方向から水平方向に反転し,同様の垂直磁気異方性の低下は膜厚が1.2nmの試料でも確認された。よって，垂直磁化MTJの加工では水素プラズマによる磁気特性劣化の抑制が必要である事がわかった。