[20a-H111-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-H111-3] ⼤気開放型CVDによる酸化亜鉛ウィスカーの成膜

〇角田 直輝¹、小松 啓志²、菊田 剛史²、齋藤 秀俊² (1.米子高専、2.長岡技科大)

キーワード：酸化亜鉛、ウィスカー

ワイドギャップ酸化物半導体である酸化亜鉛(ZnO)を⼤気開放型CVD法を⽤いてSi、サファイア基板上などに成膜し、ウィスカーの形成を確認した。カソードルミネッセンス測定により、ウィスカーから紫外から可視光領域に渡る発光を確認した。