[20a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-H121-3] 自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(Ⅳ)

〇秩父 重英¹、小島 一信¹、山崎 芳樹¹、佐藤 義孝²、上殿 明良³ (1.東北大多元研、2.双葉電子工業、3.筑波大学)

キーワード：窒化アルミニウムンジウム、発光機構

m面Al_1-xIn_xN混晶薄膜において、バンド端から大きいストークスシフトを伴って発光するピーク(Extended States: EXS)の発光機構について考察する。