[20a-P1-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[20a-P1-5] BIT系非鉛圧電材料のスパッタ薄膜形成と特性評価

〇水嵜 英明¹、米久保 荘¹、工藤 賢一¹、西野入 隆²、奥冨 衛²、児玉 泰史²、水越 健輔²、平林 明² (1.長野県工技セ、2.セラテックジャパン)

キーワード：非鉛圧電薄膜、スパッタ

チタン酸ビスマス系セラミックス作製の知見をもとに、組成を調整したスパッタターゲットを作製し、BIT系薄膜の形成を行った。高周波電力60 Wにおいて(171)面の成長が確認され、高周波電力により結晶成長に違いが見られた。分極ヒステリシス測定結果より、分極量は小さいものの、強誘電体特性を示すことを確認できた。