[20a-S422-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [20a-S422-9] Geにおける正孔と電子のフォノン周波数に対する影響の違い

〇株柳 翔一^1,2、西村 知紀¹、矢嶋 赳彬¹、鳥海 明¹ (1.東大院工、2.学振特別研究員DC)

キーワード：ゲルマニウム、フォノン