[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-H101-17] SiC MOS反転層におけるホール移動度のｐ型アクセプタ濃度依存性

〇野口 宗隆¹、岩松 俊明¹、網城 啓之¹、渡邊 寛¹、中田 修平¹、黒岩 丈晴¹、喜多 浩之²、山川 聡¹ (1.三菱電機、2.東大工)

キーワード：SiC、MOS、ホール移動度

近年、SiC MOS反転層におけるホール移動度について検討がなされており、SiC MOS反転層中のホール移動度はクーロン散乱によって支配的に決まるとの指摘がある。しかし、SiC MOSFETに対し、ｐ型基板濃度の及ぼす影響については十分な検討がなされていない。本研究では、エピタキシャル層におけるSiC MOS反転層中のホール移動度のp型アクセプタ濃度依存性を検討したので報告する。