[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-H101-18] 界面準位密度を考慮したSiC-MOSFET伝達特性モデルの構築

〇国崎 愛子¹、長谷川 淳一¹、岩崎 孝之¹、野口 宗隆²、古橋 壮之²、渡邊 寛²、中田 修平²、小寺 哲夫¹、波多野 睦子¹ (1.東工大、2.三菱電機先端総研)

キーワード：SiC-MOSFET、モデル、界面準位

SiC-MOSFETは実用化のステージに入っているが、SiO₂/SiC界面準位がMOSFETの性能と信頼性に悪影響を与えると考えられている。本研究では、横型および縦型のSiC-MOSFETの伝達特性と界面準密度の相関を明らかにするために、実測した界面準位密度を取り入れたモデルを構築した。移動度・界面固定電荷密度をパラメーターとして、横型SiC-MOSFETの伝達特性を再現した。また、縦型SiC-MOSFETのシミュレーション結果は、測定結果に対してしきい値が約-1V、オン電流が0.85倍となった。