[20p-H101-1~21] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-H101-19] A Drain Current Model for SPICE Simulation of SiC-MOSFETs

〇Ryouta Turudome¹, Takeshi Yamasaki¹, Ryoga Maekawa¹, Yusuke Hama¹, Eiichi Murakami¹ (1.Kyushu sangyo Univ.)

Keywords:SiC-MOSFET,SPICE model,Drain Current

本研究では、基本的な電流式を基に、物理現象を取り入れたSiC-MOSFETのSPICEモデルを構築し、線形および飽和領域における-特性の測定値と比較を行った。その結果、線形および飽和ともに測定値とよく一致し、線形領域の低電界ではクーロン散乱が、高電界ではフォノン散乱が支配的となることが得られた結果から示唆された。また、飽和領域では閾値電圧の温度依存性により電流値が変化することも分かった。