講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月20日(日) 13:15 〜 19:45 H121 (本館)

荒木努(立命館大)、船戸充(京大)、尾沼猛儀(工学院大)

16:30 〜 16:45

[20p-H121-13] c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果

〇平間一行¹、谷保芳孝¹、山本秀樹¹、熊倉一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：立方晶窒化ホウ素、MBE、ダイヤモンド

　　　